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2N7002/T3

更新时间： 2024-02-04 15:11:05

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	153K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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技术参数
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2N7002/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002/T3 数据手册

2N7002

NXP Semiconductors

60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET

003aab352

003aab353

10000

R_DSon

(mΩ)

8000

V_GS(V) =

I_D

(A)

0.8

0.6

0.4

0.2

4.5

6000

4000

2000

V_GS(V) = 3.5

0.2

0.4

0.6

0.8

I_D(A)

_DS(V)

Fig 5. Output characteristics: drain current as a

function of drain-source voltage; typical values

Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function

of drain current; typical values

003aab354

03aa28

2.4

I_D

(A)

0.8

0.6

0.4

1.8

1.2

0.6

25 °C

T_j= 150 °C

0.2

−60

120

180

_GS(V)

T (°C)

Fig 7. Transfer characteristics: drain current as a

function of gate-source voltage; typical values

Fig 8. Normalized drain-source on-state resistance

factor as a function of junction temperature

2N7002

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Product data sheet

Rev. 7 — 8 September 2011

6 of 13

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_04	SUPERTEX	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_07	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002_07	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	Small Signal MOSFET Transistor	获取价格
2N7002_09	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格