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2N7002DW-7-F

更新时间： 2024-01-19 21:59:33

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管场效应晶体管
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6页	266K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002DW-7-F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	0.63	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

Typical Performance Characteristics

Figure 7. Reverse Drain Current Variation with

Diode Forward Voltage and Temperature

Figure 8. Power Derating

280

240

200

160

120

V_GS= 0 V

150^oC

100

25^oC

-55^oC

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

100

125

150

175

T_a[^oC], AMBIENT TEMPERATURE

V_SD, Body Diode Forward Voltage [V]

2N7002DW Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002DWA	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWA_15	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWA_17	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWA-13	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
2N7002DWA-7	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWAQ-13	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格