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2N7002A-13

更新时间： 2024-02-15 15:09:52

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	135K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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2N7002A-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks 4 days
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.22 A
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002A-13 数据手册

2N7002A

Package Outline Dimensions

Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.

SOT23

Dim

Min

Max

0.51

1.40

2.50

1.03 0.915

0.60 0.535

Typ

0.40

1.30

2.40

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013 0.10

0.903 1.10

2.05

3.00

1.83

2.90

0.05

1.00

0.400

0.55

0.11

0.45

0.085 0.18

0° 8°

0.61



All Dimensions in mm

Suggested Pad Layout

Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.

Dimensions Value (in mm)

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

5 of 6

www.diodes.com

July 2013

2N7002A

Document number: DS31360 Rev. 12 - 2

1 2 3 456

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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