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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.91 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.35 A | 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7002BKMB | NXP | 60 V, single N-channel Trench MOSFET |
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| 2N7002BKMB,315 | NXP | 2N7002BKMB - 60 V, single N-channel Trench MOSFET DFN 3-Pin |
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| 2N7002BKS | NXP | 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET |
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| 2N7002BKS | NEXPERIA | 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction |
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| 2N7002BKS,115 | NXP | 2N7002BKS - 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin |
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| 2N7002BKT | NXP | 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET |
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