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2N7002A-13

更新时间： 2024-01-21 21:48:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 135K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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2N7002A-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：18 weeks 4 days
风险等级：5.01Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.22 A
最大漏极电流 (ID)：0.18 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.54 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002A-13 数据手册

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2N7002A  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
60  
70  
V
BVDSS  
IDSS  
VGS = 0V, ID = 10µA  
1.0  
500  
Zero Gate Voltage Drain Current  
@ TC = +25°C  
@ TC = +125°C  
µA  
µA  
VDS = 60V, VGS = 0V  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
Gate-Body Leakage  
±10  
IGSS  
ON CHARACTERISTICS (Note 7)  
Gate Threshold Voltage  
1.2  
2.0  
V
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS = VGS, ID = 250µA  
V
GS = 5.0V, ID = 0.115A  
3.5  
3.0  
6
5
Static Drain-Source On-Resistance  
@ TJ = +25°C  
@ TJ = +125°C  
VGS = 10V, ID = 0.115A  
VDS = 10V, ID = 0.115A  
Forward Transconductance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)  
Input Capacitance  
80  
mS  
23  
3.4  
1.4  
260  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
RG  
  
Output Capacitance  
V
DS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
400  
VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1.0MHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 8)  
Turn-On Delay Time  
10  
33  
ns  
ns  
tD(ON)  
VDD = 30V, ID = 0.115A, RL = 150,  
V
GEN = 10V, RGEN = 25  
Turn-Off Delay Time  
tD(OFF)  
Notes:  
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.  
0.6  
0.5  
1
V
= 5V  
DS  
Pulsed  
0.4  
0.3  
0.1  
0.2  
0.1  
0
T
= 150°C  
A
T
= 25°C  
T
= 85°C  
A
A
T
A
= -55°C  
0.01  
1
2
3
4
5
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics  
3 of 6  
www.diodes.com  
July 2013  
© Diodes Incorporated  
2N7002A  
Document number: DS31360 Rev. 12 - 2  
123456

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