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2N7002A-13

更新时间： 2024-02-19 15:18:46

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美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	135K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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技术参数
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2N7002A-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks 4 days
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.22 A
最大漏极电流 (ID)：	0.18 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002A-13 数据手册

2N7002A

2.5

2.0

1.5

= 5V

1.0

0.5

= 10V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

I_D, DRAIN-SOURCE CURRENT (A)

Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage

2.0

1.9

100

= 250µA

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

iss

1.3

1.2

oss

1.1

1.0

rss

35 40

-50 -25

75 100 125 150

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 6 Typical Total Capacitance

Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature

0.1

= 150°C

= 125°C

= 85°C

0.01

= 25°C

0.001

= -55°C

0.0001

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage

4 of 6

www.diodes.com

July 2013

2N7002A

Document number: DS31360 Rev. 12 - 2

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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