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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.3 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 45 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6558N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202VAR |
|
| 2N6559 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS |
|
| 2N6559N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-202AC |
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| 2N656 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
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| 2N656 | TI |
获取价格 |
60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
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| 2N6560 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
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| 2N6560 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6561 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6561 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6561E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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