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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6563E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6564 | BOCA |
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SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N6564 | CENTRAL |
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0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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| 2N6564 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 255mA I(T), 300V V(DRM) |
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| 2N6564 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,300V V(DRM),255MA I(T),TO-92 |
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| 2N6564 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 400V 20A 3-Pin TO-92 Bulk |
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| 2N6564APMLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
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| 2N6564APPLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
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| 2N6564LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-92, |
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| 2N6564TRA | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
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