5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 0.8 A | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6565LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, |
|
| 2N6565RP | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, |
|
| 2N6565TRA | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| 2N6565TRC | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| 2N6565TRD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| 2N6565TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, |
|
| 2N6565TRF | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| 2N6565TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| 2N6566 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL JUNCTION |
|
| 2N6567 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL JUNCTION |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
