是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.69 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA |
最大直流栅极触发电压: | 0.8 V | 最大维持电流: | 5 mA |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 0.8 A | 重复峰值反向电压: | 400 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6565TRG | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6566 | NJSEMI |
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SILICON EPITAXIAL JUNCTION | |
2N6567 | NJSEMI |
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SILICON EPITAXIAL JUNCTION | |
2N6569 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6569 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(12A,40V,100W) | |
2N6569 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE | |
2N6569 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6569 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6569E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL | |
2N6569LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |