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2N6574

更新时间: 2024-11-19 19:54:07
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 97K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

2N6574 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.85Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:275 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

2N6574 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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