品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | 可控硅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 200K | |
描述 | ||
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, |
是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.03 | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 0.8 A | 断态重复峰值电压: | 400 V |
重复峰值反向电压: | 400 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
EC103D | LITTELFUSE |
完全替代 |
Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) | |
EC103D1 | LITTELFUSE |
完全替代 |
Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) | |
2N6565 | LITTELFUSE |
完全替代 |
Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6565TRA | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6565TRC | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6565TRD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6565TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, | |
2N6565TRF | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6565TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-92 | |
2N6566 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL JUNCTION | |
2N6567 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL JUNCTION | |
2N6569 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2N6569 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(12A,40V,100W) |