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2N6563E3

更新时间: 2024-11-19 19:48:07
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 83K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

2N6563E3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-61
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1

2N6563E3 数据手册

  

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