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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6561 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6561 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6561E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6562 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N6562E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6563 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N6563E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6564 | BOCA |
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SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N6564 | CENTRAL |
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0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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| 2N6564 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 255mA I(T), 300V V(DRM) |
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