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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6562 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N6562E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6563 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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| 2N6563E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N6564 | BOCA |
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SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
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| 2N6564 | CENTRAL |
获取价格 |
0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
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| 2N6564 | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 255mA I(T), 300V V(DRM) |
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| 2N6564 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,300V V(DRM),255MA I(T),TO-92 |
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| 2N6564 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 400V 20A 3-Pin TO-92 Bulk |
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| 2N6564APMLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
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