5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6560 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
|
| 2N6560 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6561 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6561 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6561E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6562 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N6562E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N6563 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N6563E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N6564 | BOCA |
获取价格 |
SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
