5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6531-6264 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6531-6265 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6531-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6531-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6531-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6531LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6532 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6532 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6532 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
|
| 2N6532-6200 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
