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2N6533

更新时间： 2024-02-04 04:24:12

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	45K
描述
Silicon Power Transistors

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2N6533 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6533 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon Power Transistors

2N6533

DESCRIPTION

·DARLINGTON

·With TO-220 package

APPLICATIONS

·Power switching

·Hammer drivers

·Series and shunt regulators

·Audio amplifiers

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

120

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

120

Open collector

I_CM

I_B

Collector current-Peak

Base current

0.25

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance junction to case

1.92

℃/W

JMnic

12 3

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