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2N6535

更新时间： 2024-02-18 21:08:58

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6535 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.92
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2N6535 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6535

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Power switching

·Hammer drivers

·Series and shunt regulators

·Audio amplifiers

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

0.25

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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