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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 基于收集器的最大容量： | 200 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6533-6261 | RENESAS |
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8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533-6264 | RENESAS |
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8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533-6265 | RENESAS |
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8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533-DR6259 | RENESAS |
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8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533-DR6260 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6533-DR6269 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6533-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533-DR6280 | RENESAS |
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8A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6533LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6534 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package.(80V, 8A) |
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