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2N6533

更新时间： 2024-01-23 10:58:49

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Silicon Power Transistors

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2N6533 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6533 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon Power Transistors

2N6533

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

I_C=0.2A ; I_B=0

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V_CEO(SUS)

Collector-emitter sustaining voltage

120

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BE-1

V_BE-2

I_CBO

Collector-emitter saturation voltage

Base -emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=3A I_B=6mA

I_C=8A I_B=0.08A

I_C=3A ; V_CE=3V

I_C=8A ; V_CE=3V

V_CB=120V I_E=0

V_CE=120V I_B=0

V_EB=5V; I_C=0

I_C=3A ; V_CE=3V

I_C=8A ; V_CE=3V

I_F=5A

2.0

3.0

2.8

4.5

0.5

I_CEO

1.0

I_EBO

5.0

h_FE-1

h_FE-2

V_F

DC current gain

1000

100

10000

5000

4.0

DC current gain

Diode forward voltage

JMnic

123

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