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2N6520

更新时间: 2024-11-17 22:49:23
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 110K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N6520 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.27
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
最大关闭时间(toff):3.5 ns最大开启时间(吨):200 ns

2N6520 数据手册

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