2N6520RLRE

更新时间： 2024-02-27 16:54:26

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
500mA, 350V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN

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2N6520RLRE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6520RLRE 数据手册

ON Semiconductort

NPN

2N6515

2N6517

PNP

High Voltage Transistors

MAXIMUM RATINGS

2N6517

2N6520

Rating

Symbol

2N6515

250

Unit

Vdc

2N6520

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

350

CEO

Voltage and current are negative

for PNP transistors

250

350

CBO

Emitter–Base Voltage

2N6515, 2N6516, 2N6517

2N6519, 2N6520

EBO

6.0

5.0

Base Current

250

500

mAdc

Collector Current –

Continuous

Total Device Dissipation

625

5.0

mW/°C

@ T = 25°C

Derate above 25°C

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Total Device Dissipation

1.5

Watts

mW/°C

@ T = 25°C

Derate above 25°C

Operating and Storage

Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

°C

COLLECTOR

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol Max

Unit

°C/W

BASE

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

200

qJA

NPN

EMITTER

83.3

qJC

COLLECTOR

BASE

PNP

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

2N6515

2N6517, 2N6520

250

350

–

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µAdc, I = 0 )

(BR)CBO

2N6515

2N6517, 2N6520

250

350

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 µAdc, I = 0)

(BR)EBO

2N6515, 2N6517

2N6520

6.0

5.0

–

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

October, 2001 – Rev. 3

2N6515/D

12 3 4 5 6 7 8

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与2N6520RLRE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6520RLRF	MOTOROLA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2N6520RLRM	MOTOROLA	500mA, 350V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N6520RLRM	ONSEMI	500mA, 350V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN	获取价格
2N6520TA	FAIRCHILD	PNP Epitaxial Silicon Transistor	获取价格
2N6520TA	ONSEMI	High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor	获取价格
2N6520TRB	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格