2N6520TA

更新时间： 2024-02-24 06:49:28

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号双极晶体管 PC
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6页	162K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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2N6520TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	集电极-发射极最大电压：	350 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz

2N6520TA 数据手册

June 2009

2N6520

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features

• High Voltage Transistor

• Collector-Emitter Voltage: V_CBO= -350V

• Collector Dissipation: P_C(max)=625mW

• Complement to 2N6517

TO-92

1. Emitter 2. Base 3. Collector

Absolute Maximum Ratings* T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-350

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-350

-5

-500

I_B

Base Current

-250

P_C

Collector Power Dissipation

Derate above 25°C

Junction Temperature

Storage Temperature

0.625

mW/°C

°C

T_J

150

T_STG

-55 to +150

°C

2N6520 Rev. B1

www.fairchildsemi.com

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