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ZTX558 PDF预览

ZTX558

更新时间： 2024-01-23 10:24:17
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX558 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

ZTX558 数据手册

 浏览型号ZTX558的Datasheet PDF文件第2页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
ISSUE 1 – APRIL 94  
ZTX558  
FEATURES  
*
*
*
400 Volt VCEO  
200mA continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-400  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-400  
V
-5  
-200  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
mA  
W
Ptot  
1
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -400  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
VBR(CEO)  
-400  
-5  
IC=-10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
Collector Cut-Off Current ICES  
-100  
-100  
-100  
nA  
nA  
nA  
VCB=-320V  
VCE=-320V  
VEB=-4V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.5  
V
V
IC=-20mA, IB=-2mA  
IC=-50mA, IB=-6mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.9  
V
IC=-50mA, IB=-5mA  
Base-Emitter  
Turn On Voltage  
-0.9  
V
IC=-50mA, VCE=-10V  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
100  
100  
15  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-50mA, VCE=-10V  
IC=-100mA, VCE=-10V*  
300  
5
Transition  
Frequency  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
Cobo  
VCB=-20V, f=1MHz  
Switching times  
ton  
toff  
95  
1600  
ns  
ns  
IC=-50mA, VC=-100V  
IB1=5mA, IB2=-10mA  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-202  
12

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