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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6518TA
2N6518TA PDF预览

2N6518TA

更新时间： 2024-11-18 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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2N6518TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHz最大关闭时间（toff）：3.5 ns
最大开启时间（吨）：200 nsBase Number Matches：1

2N6518TA 数据手册

 浏览型号2N6518TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6518TA的Datasheet PDF文件第3页 
2N6518  
High Voltage Transistor  
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= -250V  
CEO  
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
C
Complement to 2N6515  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-250  
-250  
-5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
-500  
-250  
625  
mA  
mA  
mW  
mW/°C  
°C  
C
Base Current  
B
P
Collector Power Dissipation  
Derate above 25°C  
C
5
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
°C  
STG  
• Refer to 2N6520 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
* Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-250  
-250  
-5  
Max.  
Units  
BV  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C B  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -150V, I =0  
-50  
-50  
nA  
nA  
CBO  
CB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -4V, I =0  
EB C  
EBO  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
35  
50  
50  
45  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
300  
220  
C
= -10V, I = -50mA  
C
= -10V, I = -100mA  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -1mA  
-0.30  
-0.35  
-0.50  
-1  
V
V
V
V
CE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
C
B
I = -30mA, I = -3mA  
C
B
I = -50mA, I = -5mA  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
I = -10mA, I = -1mA  
-0.75  
-0.85  
-0.90  
V
V
V
BE  
BE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
C
B
I = -30mA, I = -3mA  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
* Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
= -10V, I = -100mA  
-2  
200  
6
V
MHz  
pF  
CE  
CE  
CB  
C
f
V
V
V
V
= -20V, I = -10mA, f=20MHz  
40  
T
C
C
C
= -20V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
Emitter-Base Capacitance  
Turn On Time  
= -0.5V, I =0, f=1MHz  
100  
200  
pF  
EB  
EB  
C
t
(off)= -2V, V = -100V  
ns  
ON  
BE  
CC  
I = -50mA, I = -10mA  
C
B1  
t
Turn Off Time  
V
= -100V, I = -50mA  
3.5  
ns  
OFF  
CC  
C
I
=I =10mA  
B1 B2  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

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