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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 45 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6519 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
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| 2N6519 | MCC |
获取价格 |
High Voltage Transistor 625mW |
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| 2N6519 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N6519 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6519 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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| 2N6519-18FLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F, |
|
| 2N6519-18RLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R, |
|
| 2N6519APMLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6519APP | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6519APPLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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