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Datasheet > 暂无类别数据> ZTX553

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ZTX553

更新时间： 2024-02-22 05:06:57

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
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2页	54K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX553 数据手册

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PNP SILICON PLANAR

ZTX552

ZTX553

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

*

*

*

100 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot=1 Watt

C

B

E

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX552

-100

ZTX553

-120

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V

V

V

A

A

-80

-100

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

1

5.7

W

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX552

ZTX553

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO-100

V_CEO(sus)-80

-120

-100

-5

V

I_C=-100µA

I_C=-10mA

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

V

Collector Cut-Off

Current

-0.1

V_CB=-80V

V_CB=-100V

µA

-0.1

Emitter Cut-Off Current I_EBO

-0.1

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

-0.25

-0.25

V

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

-1.1

-1.0

150

-1.1

-1.0

200

V

V

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

I_C=-150mA, V_CE=-10V*

Base-Emitter

Turn-onn Voltage

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

40

10

40

10

I_C=-150mA, V_CE=-10V*

I_C=-1A, V_CE=-10V*

Transition Frequency

f_T

150

150

MHz

MHz

I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

12

12

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-196

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX553DA	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX553DB	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX553DC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
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