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ZTX553DB

更新时间: 2024-02-19 04:31:01
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 87K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP

ZTX553DB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:5.12最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSIP-W3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

ZTX553DB 数据手册

  

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