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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 65 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6387-6200 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387-6203 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387-6258 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387-6261 | RENESAS |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6387-6263 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387-6265 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387A | MOTOROLA |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6387AF | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387AJ | MOTOROLA |
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10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6387AJ | ONSEMI |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN |
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