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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6387T | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387U | MOTOROLA |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6387U2 | MOTOROLA |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6387UA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387W | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2N6387WD | MOTOROLA |
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10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2N6388 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6388 | MCC |
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NPN Darlington Power Transistor |
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| 2N6388 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6388 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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