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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6388-BP
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2N6388-BP

更新时间： 2024-01-18 06:40:40
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 511K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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2N6388-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHz

2N6388-BP 数据手册

 浏览型号2N6388-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6388-BP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6388-BP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N6388  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Darlington  
Power Transistor  
·
·
•
Marking:2N6388  
Maximum Ratings*  
Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Peak  
Rating  
80  
80  
5.0  
10  
Unit  
V
V
TO-220  
VCBO  
VEBO  
C
B
V
S
F
IC  
A
15  
Q
IB  
TJ  
TSTG  
Base Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
-55 to +150  
-55 to +150  
mA  
OC  
OC  
T
A
U
Thermal Characteristics  
1
2
3
Symbol  
Rating  
Max  
Unit  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25OC  
65  
0.52  
W
H
W/OC  
K
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25OC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.0  
0.016  
1.92  
62.5  
W
W/OC  
RJC  
RJA  
OC/W  
OC/W  
V
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
L
J
D
R
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
G
N
OFF CHARACTERISTICS  
(Note 2)  
VCEO(sus)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
PIN 1.  
BASE  
PIN 2.  
PIN 3.  
COLLECTOR  
EMITTER  
(I =200mAdc, IE=0)  
Collector Cutoff Current  
80  
---  
---  
Vdc  
C
I
CEO  
(VCB=80Vdc, I =0)  
1.0  
mAdc  
E
I
Collector Cutoff Current  
CEX  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
(VCE=80Vdc, VEB(off)=1.5Vdc)  
---  
---  
300  
3.0  
uA  
mA  
(VCE=80Vdc, VEB(off)=1.5Vdc, TC=125 OC)  
Emitter Cutoff Current  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
MIN  
MAX  
.625  
A
B
C
.560  
.380  
.140  
I
EBO  
.420  
.190  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
---  
5.0  
mAdc  
3.56  
4.82  
C
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
ON CHARACTERISTICS(1)  
hFE  
DC Current Gain  
G
H
J
(VCE=3.0Vdc, IC=5.0Adc)  
(VCE=3.0Vdc, IC=10Adc)  
1000  
100  
20000  
---  
---  
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =5.0Adc, I =0.01Adc)  
---  
---  
2.0  
3.0  
Vdc  
Vdc  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
C
B
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
(I =10Adc, I =0.1Adc)  
C
B
VBE(on)  
Base-Emitter On Voltage  
(I =5.0Adc, VCE=3.0Vdc)  
---  
---  
2.8  
4.5  
C
(I =10Adc, VCE=3.0Vdc)  
C
.045  
1.15  
*Indicates JEDEC Registered Data  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
2. Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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2N6388C MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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