5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6387-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6387-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6387-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6387DW | ONSEMI |
获取价格 |
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN |
|
| 2N6387G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon Transistors DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS 8 |
|
| 2N6387L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6387N | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| 2N6387S | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6387T | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2N6387U | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
