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2N6355

更新时间： 2024-02-10 04:44:37

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6355 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6355 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6355

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_{BE sat}

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdwon voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=0.2A ;I_B=0

I_C=10A ;I_B=40mA

I_C=20A ;I_B=1A

I_C=10A ; V_CE=4V

V_CE=40V;I_B=0

V_CB=50V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

2.0

4.0

2.8

I_CEO

1.0

I_CBO

Collector cut-off current

0.5

I_EBO

Emitter cut-off current

5.0

h_FE-1

DC current gain

I_C=4A ; V_CE=5V

I_C=20A ; V_CE=5V

500

100

5000

h_FE-2

DC current gain

123

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