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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 114 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6326E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6327 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6327 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6327 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6327E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6328 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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