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2N6326

更新时间： 2024-02-07 12:10:12

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3页	42K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6326 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	30 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	6	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6326 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6326 2N6327 2N6328

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

2N6326

2N6327

2N6328

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

I_C=0.2 A ;I_B=0

100

V_CEsat

V_BEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage I_C=15A; I_B=1.5A

1.2

1.5

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

I_C=15A; I_B=1.5A

I_C=8A ; V_CE=4V

_CB=60V; I_E=0

1.0

5.0

2N6326

T_C=150℃

_CB=80V; I_E=0

1.0

5.0

I_CBO

Collector cut-off current

2N6327

2N6328

T_C=150℃

V_CB=100V; I_E=0

1.0

5.0

T_C=150℃

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=4V; I_C=0

1.0

I_C=8A ; V_CE=4V

DC current gain

I_C=30A ; V_CE=4V

Transition frequency

I_C=1A ; V_CE=10V;f=1.0MHz

MHz

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6326E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N6327	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6327	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6327	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6327E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N6328	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格