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2N6193

更新时间： 2024-11-28 22:45:03

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
Type 2N6193 Geometry 9700 Polarity PNP

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2N6193 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
最大关闭时间（toff）：	2200 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns

2N6193 数据手册

Data Sheet No. 2N6193

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N6193

Type 2N6193

Geometry 9700

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/561

Features:

Silicon transistor for use in switch-

ing applications.

Housed in a TO-39 case.

Also available in chip form using

the 9700 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/561 which

Semicoa meets in all cases.

TO-39

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

100

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

100

6.0

5.0

1.0

Collector Current, Continuous

I_B

Base Current, Continuous

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

1.0

P_T

mW/^oC

Watt

5.71

10.0

57.1

Power Disipation T_A= 25^oC ambient

Derate above 25^oC

mW/^oC

^oC

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-55 to +200

^oC

T_STG

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