是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.18 |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 100 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6193ALCC4 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTORS | |
2N6193LCC4 | SEME-LAB |
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PNP SILICON TRANSISTORS | |
2N6198 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | STX-8 | |
2N6199 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
2N6200 | ETC |
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B40-28 40 WATTS - 28 VOLTS 100-200 MHZ | |
2N6202 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 500MA I(C) | STX-8 | |
2N6203 | SST |
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Transistor, | |
2N6204 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 2A I(C) | STX-8 | |
2N6211 | CENTRAL |
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Power Transistors | |
2N6211 | MICROSEMI |
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PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |