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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5927 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-114 |
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| 2N5928 | NJSEMI |
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SILICON NPN TRANSISTOR |
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| 2N5929 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N593 | NJSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSISTOR |
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| 2N5930 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5930 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5931 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5931E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5932 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5932 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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