5秒后页面跳转
2N5927 PDF预览

2N5927

更新时间: 2024-02-05 15:54:42
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-114

2N5927 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):100 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):10
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):200 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):0.5 MHz
Base Number Matches:1

2N5927 数据手册

 浏览型号2N5927的Datasheet PDF文件第2页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与2N5927相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5928 NJSEMI SILICON NPN TRANSISTOR

获取价格

2N5929 SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

获取价格

2N593 NJSEMI BIDIRECTIONAL TRANSISTOR

获取价格

2N5930 SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

获取价格

2N5930 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2

获取价格

2N5931 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

获取价格