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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.85 | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5931E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 160V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5932 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5932 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5933 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device |
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| 2N5934 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5935 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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