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2N5912-E3

更新时间： 2024-11-25 14:48:55

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET

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2N5912-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.46	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

2N5912-E3 数据手册

2N5911/5912

Vishay Siliconix

Matched N-Channel JFET Pairs

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_GTyp (pA) jV_GS1– V_GS2j Max (mV)

2N5911

2N5912

–1 to –5

–25

–1

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Two-Chip Design

D High Slew Rate

D Minimum Parasitics Ensuring Maximum

D Wideband Differential Amps

High-Frequency Performance

D High-Speed, Temp-Compensated,

D Improved Op Amp Speed, Settling Time Accuracy

D Minimum Input Error/Trimming Requirement

D Insignificant Signal Loss/Error Voltage

D High System Sensitivity

Single-Ended Input Amps

D Low Offset/Drift Voltage

D Low Gate Leakage: 1 pA

D Low Noise

D High Speed Comparators

D Impedance Converters

D High CMRR: 85 dB

D Minimum Error with Large Input Signal

DESCRIPTION

The 2N5911/5912 are matched pairs of JFETs mounted in a

TO-78 package. This two-chip design reduces parasitics and

gives better performance at high frequencies while ensuring

extremely tight matching.

For similar products see the SO-8 packaged

SST440/SST441, the TO-71 packaged U440/U441, the

low-noise SST/U401 series, and the low-leakage U421/423

data sheets.

The hermetically-sealed TO-78 package is available with full

military screening per MIL-S-19500 (see Military Information).

TO-78

Case

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V

Gate-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "80 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA

Power Dissipation :

Notes

Per Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367 mW

Total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C

a. Derate 3 mW/_C above 25_C

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C

b. Derate 4 mW/_C above 25_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

For applications information see AN102.

Document Number: 70255

S-04031—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-1

12 3 4 5 6 7

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与2N5912-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5912H	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-78
2N5912X	CALOGIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, DIE
2N5913	NJSEMI	获取价格	SI NPN POWER BJT
2N5916	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 24V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| STX-6
2N5918	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 750MA I(C) \| STX-6
2N5926	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-210AE
2N5927	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 100A I(C) \| TO-114
2N5928	NJSEMI	获取价格	SILICON NPN TRANSISTOR
2N5929	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
2N593	NJSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSISTOR

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