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2N5887

更新时间： 2024-01-10 05:56:36

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	372K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-66

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2N5887 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	110 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	57 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2N5887 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5888	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-66	获取价格
2N5889	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-66	获取价格
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