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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.12 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5886G | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 2N5885G | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Silicon High−Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5876E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5876LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5877 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5877 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5877 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5877 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5877 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5877 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
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| 2N5877 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5877 | CENTRAL |
获取价格 |
60V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Swi |
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