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2N5886G

更新时间： 2024-11-02 03:56:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
Complementary Silicon High−Power Transistors

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2N5886G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：1.37外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N5886G 数据手册

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2N5883, 2N5884 (PNP)  
2N5885, 2N5886 (NPN)  
2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices  
Complementary Silicon  
High−Power Transistors  
Complementary silicon high−power transistors are designed for  
general−purpose power amplifier and switching applications.  
http://onsemi.com  
Features  
25 AMPERE COMPLEMENTARY  
SILICON POWER TRANSISTORS  
60 − 80 VOLTS, 200 WATTS  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
V
= 1.0 Vdc, (max) at I = 15 Adc  
C
CE(sat)  
• Low Leakage Current  
= 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage  
I
CEX  
• Excellent DC Current Gain −  
= 20 (min) at I = 10 Adc  
h
FE  
C
• High Current Gain Bandwidth Product −  
f = 4.0 MHz (min) at I = 1.0 Adc  
t
C
• Pb−Free Packages are Available*  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
STYLE 1  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
2N5883, 2N5885  
V
Vdc  
CEO  
MARKING DIAGRAM  
60  
80  
2N5884, 2N5886  
Collector−Base Voltage  
2N5883, 2N5885  
V
Vdc  
CB  
60  
80  
2N5884, 2N5886  
Emitter−Base Voltage  
V
5.0  
Vdc  
Adc  
EB  
2N588xG  
AYYWW  
MEX  
Collector Current −  
Continuous  
Peak  
I
C
B
25  
50  
Base Current  
I
7.5  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
200  
1.15  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
2N588x = Device Code  
x = 3, 4, 5, or 6  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
°C  
J
stg  
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
= Work Week  
Symbol  
Max  
Unit  
= Country of Origin  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
q
0.875  
°C/W  
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
1. Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some  
parameters and re−registration reflecting these changes has been requested.  
All above values most or exceed present JEDEC registered data.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 11  
2N5883/D  
 
123456

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