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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5769APMLEADFREE
2N5769APMLEADFREE PDF预览

2N5769APMLEADFREE

更新时间： 2024-02-26 02:35:49
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 316K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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2N5769APMLEADFREE 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.68基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
最大关闭时间（toff）：18 nsVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5769APMLEADFREE 数据手册

 浏览型号2N5769APMLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N5769  
PN2369A  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5769 and  
PN2369A are epitaxial planar NPN Silicon Transistors  
designed for ultra high speed saturated switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
40  
40  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
15  
4.5  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
200  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
I
500  
CM  
P
Power Dissipation  
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=20V  
400  
nA  
CBO  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
=20V, T =125°C  
A
=20V (2N5769)  
30  
400  
1.0  
µA  
nA  
µA  
V
=4.5V (2N5769)  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
40  
40  
15  
4.5  
CBO  
CES  
C
I =10µA  
V
C
I =10mA  
V
CEO  
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
200  
250  
500  
850  
1.15  
1.6  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =30mA, I =3.0mA  
C
B
I =100mA, I =10mA  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
700  
C
B
I =30mA, I =3.0mA  
C
B
I =100mA, I =10mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=0.35V, I =10mA (2N5769)  
40  
40  
30  
20  
120  
120  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
=1.0V, I =10mA (PN2369A)  
FE  
C
=0.4V, I =30mA  
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
FE  
C
R1 (10-March 2011)  
12

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