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2N5770

更新时间: 2024-01-03 21:16:52
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 81K
描述
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081

2N5770 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
Is Samacsys:N基于收集器的最大容量:1.1 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):800 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2N5770 数据手册

  

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