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2N5771

更新时间： 2024-01-07 07:37:34

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	129K
描述
PNP Switching Transistor

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2N5771 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
基于收集器的最大容量：	3 pF	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	850 MHz	Base Number Matches：	1

2N5771 数据手册

Discrete POWER & Signal

Technologies

2N5771

MMBT5771

TO-92

SOT-23

Mark: 3R

PNP Switching Transistor

This device is designed for very high speed saturate switching at

collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See

PN4258 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.5

Collector Current - Continuous

200

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5771

*MMBT5771

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

R_θ

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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