2N5551CBU

更新时间： 2024-01-05 21:52:06

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5551CBU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551CBU 数据手册

April 2006

2N5551- MMBT5551

NPN General Purpose Amplifier

Features

•

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

Suffix “-Y” means h_FE180~240 in 2N5551 (Test condition : I = 10mA, V = 5.0V)

MMBT5551

2N5551

TO-92

SOT-23

Marking: 3S

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings *

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

160

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

180

6.0

Collector current - Continuous

Junction and Storage Temperature

600

°C

T_J, T_stg

-55 ~ +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted

Max

Symbol

Parameter

Units

2N5551

*MMBT5551

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

625

5.0

350

2.8

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

83.3

200

°C/W

357

* Device mounted on FR-4 PCB 1.6" × 1.6" × 0.06."

2N5551- MMBT5551 Rev. B

www.fairchildsemi.com

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