2N5551CBU

更新时间： 2024-11-18 13:04:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5551CBU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551CBU 数据手册

April 2006

2N5551- MMBT5551

NPN General Purpose Amplifier

Features

•

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

Suffix “-Y” means h_FE180~240 in 2N5551 (Test condition : I = 10mA, V = 5.0V)

MMBT5551

2N5551

TO-92

SOT-23

Marking: 3S

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings *

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

160

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

180

6.0

Collector current - Continuous

Junction and Storage Temperature

600

°C

T_J, T_stg

-55 ~ +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted

Max

Symbol

Parameter

Units

2N5551

*MMBT5551

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

625

5.0

350

2.8

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

83.3

200

°C/W

357

* Device mounted on FR-4 PCB 1.6" × 1.6" × 0.06."

2N5551- MMBT5551 Rev. B

www.fairchildsemi.com

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2N5551CBU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5551CTA	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551BU	FAIRCHILD	类似代替	NPN General-Purpose Amplifier

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5551CN	AUK	获取价格	NPN Silicon Transistor
2N5551CSM	SEME-LAB	获取价格	HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A
2N5551-C-T92-B	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551-C-T92-K	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551-C-T92-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551CTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551CYTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
2N5551G	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
2N5551G-A-T92-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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