2N5551A

更新时间： 2024-11-21 13:04:03

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2N5551A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N5551A 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N5551

Micro Commercial Components

Features

•

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers

NPN General

Purpose Amplifier

Transistor

and gas discharge display drivers.

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

ꢀ

Marking:Type number

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

TO-92

Maximum Ratings

Symbol

Rating

160

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

180

6.0

600

625

^OC

P_C

T_J

T_STG

Collector Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Voltage*

(Ic=1.0mAdc, I _B=0)

Collector-Base Voltage

(I _C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Voltage

(I _E=10uAdc, I_C=0)

160

180

6.0

---

Vdc

Collector Cutoff Current

(V _CB=35Vdc,I =0)

---

nAdc

uAdc

nAdc

(V _CB=120Vdc, I_E=0, T =100^OC)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V _EB=5.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current gain

(I _C=1.0mAdc, V_CE=5.0Vdc)

(I _C=10mAdc, V_CE=5.0Vdc)

(I _C=50mAdc, V_CE=5.0Vdc)

---

250

---

DIMENSIONS

INCHES

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

---

0.5

Vdc

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

(I =50mAdc, I_B=5.0mAdc)

Base- Emitter Voltage

---

1.0

Vdc

(I =5.0mAdc, I_C=50mAdc)

* Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%

w w w.m c c s e m i.c o m

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N5551A-G	WEITRON	获取价格	Transistor
2N5551AL1	ONSEMI	获取价格	2N5551AL1
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